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Si 4435 BDY-E3 | Vishay Siliconix

Transistor MOSFET P-Kanal -8A/-30V SO8

Best. Nr.: 47833
Kategorie: FET - Feldeffekttransistoren
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Hersteller: Vishay Siliconix
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Alternative Produkte: SI 4435 DDY-T1-GE3


Si 4435 BDY-E3
Transistor MOSFET P-Kanal -8A/-30V SO8

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Product Change Information

Erstellungsdatum
Änderung gültig von
Art der Änderung
Beschreibung
Dokument
01.01.2005
01.01.2017
PCN
01.04.2012 Last time buy

Technische Daten/Parameter

Hersteller
Serie
Polarity
Vdss (Drain to Source Voltage)
Id @ Tc=25°C (Continuous Drain Current)
Drive Voltage
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Qg (Total Gate Charge, Max @ Vgs)
Vgs (Max)
Pd (Power Dissipation, Max)
Operating Temperature
Case
Mounting Type
Features
Bemerkung
MSL
RoHS

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SI 4435 DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix  
SI 4435 DDY-T1-GE3

Transistor MOSFET P-Kanal 11,4A/30V SO8

FET - Feldeffekttransistoren

Bestellnummer: 102206
Hersteller: Vishay Siliconix
lagernd 480 Stck.
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