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IRFPE 40 PBF | VISHAY IR

Transistor MOSFET N-Kanal 5,4A/800V TO247
Best. Nr.: 5742
Mindestbestellmenge: 1 Stck.
Bestelleinheiten: 1 Stck. (1, 2, 3 ... Stck.)
Packeinheit: 50 Stck.
Kategorie: FET - Feldeffekt-Leistungstransistoren
Produktinformation: Auf Anfrage
Hersteller: VISHAY IR
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IRFPE 40 PBF
Transistor MOSFET N-Kanal 5,4A/800V TO247

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Technische Daten/Parameter

Hersteller VISHAY IR
Type Power
Polarity MOSFET N
Power 150 W
Case TO247AC
Mounting Type THT
Drain-Source Breakdown Voltage 800 V
Gate-Source Breakdown Voltage ±20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm / 3,2A / 10V
Continuous Drain Current 5,4A
On/Off Time (Max) 16ns/100ns
On Resistance Max. 2 Ohm
Operating Voltage 800 V
Output Current A 5,4 A
RoHS Ja

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