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IRFD 9120 PBF | VISHAY IR

Transistor MOSFET P-Kanal -1A/-100V DIP4
Best. Nr.: 4787
Mindestbestellmenge: 100 Stck.
Bestelleinheiten: 1 Stck. (100, 101, 102 ... Stck.)
Kategorie: FET - Feldeffekt-Leistungstransistoren
Produktinformation: Auf Anfrage
Hersteller: VISHAY IR
Preise verstehen sich ohne MwSt. Die von uns genannten Preise gelten für den Lagerbestand. Wir behalten uns Preisänderungen vor.
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IRFD 9120 PBF
Transistor MOSFET P-Kanal -1A/-100V DIP4

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Bestelleinheiten: 1 Stck. (100, 101, 102 ... Stck.)
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Technische Daten/Parameter

Hersteller VISHAY IR
Typ Power
Polarity MOSFET P
Power 1 W
Case DIP4
Mounting Type THT
Drain-Source Breakdown Voltage -100 V
Gate-Source Breakdown Voltage ±20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0,6 Ohm / -0,6A / -10V
Continuous Drain Current 1A
On/Off Time (Max) 9,6ns/21ns
On Resistance Max. 0,6 Ohm
Operating Voltage -100 V
Ausgangsstrom -1 A
Bemerkung n/a
Serie n/a
RoHS Ja

Dokumente zum Herunterladen

Datenblatt des Herstellers:
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