Illustrationsbild, schauen Sie sich bitte die technische Spezifikation unter Warendetails.

IRFD 9120 PBF | VISHAY IR

Transistor MOSFET P-Kanal -1A/-100V DIP4
Best. Nr.: 4787
Mindestbestellmenge: 100 Stck.
Bestelleinheiten: 1 Stck. (100, 101, 102 ... Stck.)
Kategorie: FET - Feldeffekt-Leistungstransistoren
Produktinformation: Auf Anfrage
Hersteller: VISHAY IR
Preise verstehen sich ohne MwSt. Die von uns genannten Preise gelten für den Lagerbestand. Wir behalten uns Preisänderungen vor.
Ich bestelle: Stck. -
  • in den Warenkorb legen
  • Preisanfrage
  • Zu Favoriten hinzufügen
  • Zu Watchdog hinzufügen
  • Artikel zum Vergleichen hinzufügen

IRFD 9120 PBF
Transistor MOSFET P-Kanal -1A/-100V DIP4

Illustrationsbild, schauen Sie sich bitte die technische Spezifikation unter Warendetails.

Best. Nr.: 4787
Mindestbestellmenge: 100 Stck.
Bestelleinheiten: 1 Stck. (100, 101, 102 ... Stck.)
Kategorie: FET - Feldeffekt-Leistungstransistoren
Produktinformation: Auf Anfrage
Hersteller: VISHAY IR

Preise verstehen sich ohne MwSt. Die von uns genannten Preise gelten für den Lagerbestand. Wir behalten uns Preisänderungen vor.

Ich bestelle: Stck. -
  • in den Warenkorb legen
  • Preisanfrage
  • Zu Favoriten hinzufügen
  • Zu Watchdog hinzufügen
  • Artikel zum Vergleichen hinzufügen

Technische Daten/Parameter

Hersteller VISHAY IR
Type Power
Polarity MOSFET P
Power 1 W
Case DIP4
Mounting Type THT
Drain-Source Breakdown Voltage -100 V
Gate-Source Breakdown Voltage ±20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0,6 Ohm / -0,6A / -10V
Continuous Drain Current 1A
On/Off Time (Max) 9,6ns/21ns
On Resistance Max. 0,6 Ohm
Operating Voltage -100 V
Output Current A -1 A
Note n/a
Series n/a
RoHS Ja

Dokumente zum Herunterladen

Datenblatt des Herstellers:
Cookie-Dateien helfen uns bei der Bereitstellung von Dienstleistungen. Durch die Nutzung unserer Dienstleistungen drücken Sie Ihr Einverständnis zur Verwendung der Cookie-Dateien aus.
OK Mehr Informationen