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IRFD 024 PBF | VISHAY IR

Transistor MOSFET N-Kanal 2,5A/60V DIP4
Best. Nr.: 4782
Lagerbestand 66 Stck.
Mindestbestellmenge: 5 Stck.
Bestelleinheiten: 1 Stck. (5, 6, 7 ... Stck.)
Kategorie: FET - Feldeffekt-Leistungstransistoren
Produktinformation: Lagerware
Hersteller: VISHAY IR
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Technische Daten/Parameter

Hersteller VISHAY IR
Type Power
Polarity MOSFET N
Power 1,3 W
Case DIP4
Mounting Type THT
Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Gate-Source Breakdown Voltage ±20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm / 1,5A / 10V
Continuous Drain Current 2,5A
On/Off Time (Max) 13ns/25ns
On Resistance Max. 100 mOhm
Operating Voltage 60 V
Output Current A 2,5 A
Note n/a
Series n/a
RoHS Ja

Dokumente zum Herunterladen

Datenblatt des Herstellers:
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