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IRFBC 40 PBF | VISHAY IR

Transistor MOSFET N-Kanal 6,2A/600V TO220
Best. Nr.: 7516
Mindestbestellmenge: 1 Stck.
Bestelleinheiten: 1 Stck. (1, 2, 3 ... Stck.)
Packeinheit: 50 Stck.
Kategorie: FET - Feldeffekt-Leistungstransistoren
Produktinformation: Auf Anfrage
Hersteller: VISHAY IR
Preise verstehen sich ohne MwSt. Die von uns genannten Preise gelten für den Lagerbestand. Wir behalten uns Preisänderungen vor.
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IRFBC 40 PBF
Transistor MOSFET N-Kanal 6,2A/600V TO220

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Technische Daten/Parameter

Hersteller VISHAY IR
Typ Power
Polarity MOSFET N
Power 125 W
Case TO220AB
Mounting Type THT
Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
Gate-Source Breakdown Voltage ±20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1,2 Ohm / 3,4A / 10V
Continuous Drain Current 6,2A
On/Off Time (Max) 13ns/55ns
On Resistance Max. 1,2 Ohm
Operating Voltage 600 V
Ausgangsstrom -6,2 A
RoHS Ja

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