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IRF 510 PBF | VISHAY IR

Transistor MOSFET N-Kanal 5,6A/100V TO220
Best. Nr.: 2487
Lagerbestand 41 Stck.
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(Lieferterminüberprüfung wird durchgeführt.: 200 Stck.)
Mindestbestellmenge: 5 Stck.
Bestelleinheiten: 1 Stck. (5, 6, 7 ... Stck.)
Packeinheit: 50 Stck. (in tube)
Kategorie: FET - Feldeffekt-Leistungstransistoren
Produktinformation: Lagerware
Hersteller: VISHAY IR
Preis ohne MwSt.
5 Stck+ 0,3980 €
10 Stck+ 0,3030 €
50 Stck+ 0,2690 €
350 Stck+ 0,2390 €
1300 Stck+ 0,2280 €
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IRF 510 PBF
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Technische Daten/Parameter

Hersteller VISHAY IR
Typ Power
Polarity MOSFET N
Power 43 W
Case TO220AB
Mounting Type THT
Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Gate-Source Breakdown Voltage ±20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm / 3,4A / 10V
Continuous Drain Current 5,6A
On/Off Time (Max) 6,9ns/15ns
On Resistance Max. 540 mOhm
Operating Voltage 100 V
Ausgangsstrom 5,6 A
Bemerkung n/a
Serie n/a
RoHS Ja

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