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VNS1NV04DPTR-E | STMICROELECTRONICS

Transistor MOSFET OMNIFET II N-Kanal 1,7A/40V SO8
Best. Nr.: 142309
Mindestbestellmenge: 1 Stck.
Bestelleinheiten: 1 Stck. (1, 2, 3 ... Stck.)
Kategorie: FET - Feldeffekt-Leistungstransistoren
Produktinformation: Auf Anfrage
Hersteller: STMICROELECTRONICS
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VNS1NV04DPTR-E
Transistor MOSFET OMNIFET II N-Kanal 1,7A/40V SO8

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Technische Daten/Parameter

Hersteller STMICROELECTRONICS
Typ Power
Polarity MOSFET N
Power 4 W
Case SO8
Mounting Type SMD
Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
Gate-Source Breakdown Voltage - V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm / 0,5A / 5V
Continuous Drain Current 1,7A
On/Off Time (Max) 200ns/1000ns
On Resistance Max. 500 mOhm
Operating Voltage 40 V
Ausgangsstrom 1,7 A
RoHS Ja

Dokumente zum Herunterladen

Datenblatt des Herstellers:
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